Alliance Elpida/Sharp dans les mémoires de nouvelle génération

mercredi 13 octobre 2010 09h52
 

TOKYO (Reuters) - Le japonais Elpida Memory, numéro trois mondial des mémoires DRAM, a fait savoir mercredi qu'il développait des mémoires de nouvelle génération avec son compatriote Sharp pour une commercialisation prévue en 2013.

Cette nouvelle mémoire, baptisée ReRAM (Resistive random access memory) consomme moins d'électricité et peut transcrire les données 10.000 fois plus vite qu'une mémoire flash NAND, cette dernière étant couramment employée dans les matériels électroniques mobiles.

Elle peut également garder des données en mémoire lorsque l'alimentation électrique est coupée.

Le projet est soutenu par le Nedo (New Energy and Industrial Technology Development Organisation), un organisme public japonais, et par l'Université de Tokyo, précise Elpida.

Les grands groupes d'électronique travaillent à l'élaboration des mémoires qui remplaceront les actuelles DRAM, employées dans les PC, et NAND, principalement employées dans les téléphones mobiles et les appareils photos numériques.

Toshiba, le premier fabricant japonais de semi-conducteurs, est en train de concevoir une nouvelle mémoire flash, tandis que le sud-coréen Samsung, principal concurrent d'Elpida dans les DRAM, travaille sur les mémoires ReRAM et PRAM (Phase-change random access memory).

Sachi Izumi à Tokyo et Rachel Chitra à Bangalore, Wilfrid Exbrayat pour le service français, édité par Danielle Rouquié

 
<p>Le japonais Elpida Memory, num&eacute;ro trois mondial des m&eacute;moires DRAM, d&eacute;veloppe des m&eacute;moires de nouvelle g&eacute;n&eacute;ration avec son compatriote Sharp pour une commercialisation pr&eacute;vue en 2013. /Photo prise le 17 mars 2010/REUTERS/Nicky Loh</p>