STMicro signe un accord avec Samsung sur une technologie clef

mercredi 14 mai 2014 19h01
 

par Gwénaëlle Barzic

PARIS (Reuters) - STMicroelectronics a annoncé mercredi avoir conclu un accord de licence avec le coréen Samsung grâce auquel il espère donner un coup d'accélérateur à une technologie "made in France" permettant la fabrication de puces moins gourmandes et plus rapides.

Samsung, deuxième fabricant mondial de semi-conducteurs derrière Intel, va pouvoir utiliser la technologie dite "FD-SOI" ("Fully Depleted Silicon on Insulator") en 28 nanomètres conçue dans un pôle de recherche à Grenoble par le Commissariat à l'énergie atomique (CEA) et Soitec.

STMicroelectronics, qui avait dévoilé la signature du contrat lors de ses résultats du premier trimestre mais sans révéler le nom du signataire, a misé gros sur ce concept.

Il répond selon lui à la demande générée par l'essor fulgurant des appareils nomades et des objets connectés en permettant de fabriquer des puces plus rapides, moins consommatrices d'énergie et qui dégagent moins de chaleur.

Le FD-SOI ("silicium sur isolant totalement déplété") est toutefois en compétition avec une autre technologie d'avenir basée sur la gravure 3D, aussi appelée "Fin Fet", une approche notamment choisie par le géant Intel.

Grâce à l'accord conclu avec Samsung, dont les modalités financières n'ont pas été révélées, STMicroelectronics espère permettre à la solution française de prendre plusieurs longueurs d'avance.

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STMicroelectronics a conclu un accord de licence avec le coréen Samsung grâce auquel il espère donner un coup d'accélérateur à une technologie "made in France" permettant la fabrication de puces moins gourmandes et plus rapides. /Photo d'archives/REUTERS/Lee Jae-Won