Accord Hynix-Grandis sur des mémoires de nouvelle génération

mercredi 2 avril 2008 15h28
 

SEOUL (Reuters) - Le groupe sud-Coréen Hynix Semiconductor annonce la signature d'un accord de licence d'un montant de 400 milliards de wons (259 millions d'euros) portant sur le développement de mémoires utilisant des brevets de nouvelle génération détenus par l'américain Grandis.

Le deuxième fabricant mondial de puces mémoires, a précisé que les deux sociétés travailleraient conjointement pour intégrer la technologie STT-RAM (spin-transfer torque random access memory), développée par Grandis, aux futures mémoires d'Hynix.

Hynix prévoit d'investir 400 milliards de wons à partir de mars 2008, mais sans fournir plus de précisions sur le calendrier de cet investissement.

La technologie STT-RAM offre notamment d'intéressantes perspectives en termes de fabrication pour des gravures inférieures à 40 nanomètres. Elle consomme également moins d'énergie que les mémoires actuelles, a une durée de vie plus longue ainsi que des capacités en lecture et écriture plus importantes, a précisé Hynix.

Marie-France Han, version française Julien Toyer

 
<p>Le groupe sud-Cor&eacute;en Hynix Semiconductor a sign&eacute; un accord de licence d'un montant de 400 milliards de wons (259 millions d'euros) portant sur le d&eacute;veloppement de m&eacute;moires utilisant des brevets de nouvelle g&eacute;n&eacute;ration d&eacute;tenus par l'am&eacute;ricain Grandis. /Photo d'archives/REUTERS/You Sung-Ho</p>